Immagine |
Numero di parte |
Produttore |
Descrizione |
pacchetto |
Azione |
Quantità |
Frequency | Gain | Voltage - Test | Current Rating | Noise Figure | Current - Test | Power - Output | Voltage - Rated | Package / Case | Supplier Device Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione6.048 |
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione6.672 |
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-33288-2
|
pacchetto: H-33288-2 |
Azione6.256 |
|
960MHz ~ 1.215GHz | 17.5dB | 50V | - | - | 200mA | 450W | 105V | H-33288-2 | H-33288-2 |
||
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione5.712 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione3.808 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-36275-4
|
pacchetto: H-36275-4 |
Azione2.080 |
|
390MHz ~ 450MHz | 18dB | 50V | - | - | 500mA | 500W | 105V | H-36275-4 | H-36275-4 |
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Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione7.568 |
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione3.984 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS
|
pacchetto: - |
Azione5.408 |
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS
|
pacchetto: - |
Azione5.392 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
|
pacchetto: H-37248-4 |
Azione3.120 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | H-37248-4 | H-37248-4 |
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Infineon Technologies |
GAN SIC
|
pacchetto: - |
Azione2.448 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
FET RF 2CH 65V 960MHZ H-37275G-6
|
pacchetto: H-34275G-6/2 |
Azione6.432 |
|
960MHz | 20dB | 28V | - | - | 2.8A | 315W | 65V | H-34275G-6/2 | H-34275G-6/2 |
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Infineon Technologies |
GAN SIC
|
pacchetto: - |
Azione7.904 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione6.512 |
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione7.536 |
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: H-37275-6/2 |
Azione2.816 |
|
1.99GHz | 19dB | 30V | - | - | 2.6A | 80W | 65V | H-37275-6/2 | H-37275-6/2 |
||
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: H-37275-6/2 |
Azione3.184 |
|
1.88GHz | 17dB | 30V | - | - | 2.6A | 80W | 65V | H-37275-6/2 | H-37275-6/2 |
||
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
|
pacchetto: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Azione7.232 |
|
2.11GHz ~ 2.17GHz | 15.8dB | 30V | 10µA | - | 1.6A | 200W | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | H-36260-2 |
||
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
|
pacchetto: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Azione7.664 |
|
1.93GHz ~ 1.99GHz | 15.9dB | 30V | 10µA | - | 1.6A | 200W | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | H-36260-2 |
||
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione2.512 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione3.408 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: - |
Azione4.944 |
|
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
|
pacchetto: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Azione7.264 |
|
920MHz ~ 960MHz | 18.5dB | 30V | 10µA | - | 1.85A | 220W | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | H-36260-2 |
||
Infineon Technologies |
IC AMP RF LDMOS
|
pacchetto: H-37275-4 |
Azione3.200 |
|
2.4GHz | 15dB | 28V | - | - | 850mA | 68W | 65V | H-37275-4 | H-37275-4 |
||
Infineon Technologies |
RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2
|
pacchetto: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Azione4.720 |
|
2.11GHz ~ 2.17GHz | 15.5dB | 28V | 10µA | - | 1.2A | 180W | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | H-36260-2 |
||
Infineon Technologies |
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
|
pacchetto: 2-Flatpack, Fin Leads |
Azione6.064 |
|
2.14GHz | 15.8dB | 30V | 10µA | - | 1.6A | 50W | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads | H-36260-2 |
||
Infineon Technologies |
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
|
pacchetto: 2-Flatpack, Fin Leads |
Azione3.504 |
|
1.99GHz | 15.9dB | 30V | 10µA | - | 1.8A | 50W | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads | H-36260-2 |