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ZXMN3A02N8TC

hot ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

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Numero di parte ZXMN3A02N8TC
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8SOIC
Scheda dati

ZXMN3A02N8TC Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ZXMN3A02N8TC

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica ZXMN3A02N8TC

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  • 2. How does Heisener guarantee that ZXMN3A02N8TC is from the original manufacturer or authorized agents?
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MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

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