Name: ZXMN3A02N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A02N8TA
Availability: InStock
Rating: 5 (180 reviews)

ZXMN3A02N8TA

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Numero di parte	ZXMN3A02N8TA
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Scheda dati	ZXMN3A02N8TA Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ZXMN3A02N8TA

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA Packaging

ZXMN3A02N8TA FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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