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ZXMN2F34MATA

hot ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

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Numero di parte ZXMN2F34MATA
Produttore Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
Scheda dati

ZXMN2F34MATA Scheda dati

pacchetto 3-VDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche ZXMN2F34MATA

ProduttoreDiodes Incorporated
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto3-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds277pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-DFN (2x2)
Pacchetto / caso3-VDFN Exposed Pad

Scheda tecnica ZXMN2F34MATA

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ZXMN2F34MATA FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ZXMN2F34MATA is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

ZXMN2F34MATA

Diodes Incorporated

MOSFET, N, DFN322

0
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D# ZXMN2F34MATR-ND

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 20V 4A DFN322

0
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D# 1583666

Diodes Incorporated

MOSFET, N, DFN322

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Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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Zetex / Diodes Inc

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Diodes Incorporated

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Zetex / Diodes Inc

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