Name: UPA2812T1L-E2-AT
Brand: Renesas Electronics America
SKU: UPA2812T1L-E2-AT
Availability: InStock
Rating: 5 (160 reviews)

UPA2812T1L-E2-AT

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Numero di parte	UPA2812T1L-E2-AT
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Scheda dati	UPA2812T1L-E2-AT Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	4.576 piece(s)
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Specifiche UPA2812T1L-E2-AT

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3740pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HWSON (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica UPA2812T1L-E2-AT

UPA2812T1L-E2-AT Packaging

UPA2812T1L-E2-AT FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of UPA2812T1L-E2-AT.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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