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UPA2766T1A-E1-AY

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Numero di parte UPA2766T1A-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
Scheda dati

UPA2766T1A-E1-AY Scheda dati

pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche UPA2766T1A-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C130A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs257nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10850pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.82 mOhm @ 39A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-HVSON (5.4x5.15)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

Scheda tecnica UPA2766T1A-E1-AY

UPA2766T1A-E1-AY Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that UPA2766T1A-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the UPA2766T1A-E1-AY. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including UPA2766T1A-E1-AY on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of UPA2766T1A-E1-AY products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the UPA2766T1A-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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