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UPA2672T1R-E2-AX

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Numero di parte UPA2672T1R-E2-AX
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON
Scheda dati

UPA2672T1R-E2-AX Scheda dati

pacchetto 6-WFDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche UPA2672T1R-E2-AX

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-WFDFN Exposed Pad
ECAD
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds486pF @ 10V
Potenza - Max2.3W
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-HUSON (2x2)

Scheda tecnica UPA2672T1R-E2-AX

UPA2672T1R-E2-AX Packaging

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Sealing
Packing
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UPA2672T1R-E2-AX FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that UPA2672T1R-E2-AX is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the UPA2672T1R-E2-AX price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of UPA2672T1R-E2-AX?
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