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UF3C120080K3S

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Numero di parte UF3C120080K3S
Produttore Qorvo
Descrizione SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 52.980 piece(s)
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Specifiche UF3C120080K3S

ProduttoreQorvo
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C33A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)12V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 12V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

UF3C120080K3S Packaging

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Sealing
Packing
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UF3C120080K3S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that UF3C120080K3S is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the UF3C120080K3S. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including UF3C120080K3S on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of UF3C120080K3S products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the UF3C120080K3S price and inventory displayed accurate?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of UF3C120080K3S.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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