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UF3C065080T3S

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Numero di parte UF3C065080T3S
Produttore Qorvo
Descrizione MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 22.947 piece(s)
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Specifiche UF3C065080T3S

ProduttoreQorvo
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C31A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)12V
Vgs (th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 12V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

UF3C065080T3S Packaging

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Sealing
Packing
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UF3C065080T3S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that UF3C065080T3S is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of UF3C065080T3S?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of UF3C065080T3S.
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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