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TSM60NB190CM2 RNG

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Numero di parte TSM60NB190CM2 RNG
Produttore TSC America Inc.
Descrizione MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche TSM60NB190CM2 RNG

ProduttoreTSC America Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1273pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TSM60NB190CM2 RNG Packaging

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Packing
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TSM60NB190CM2 RNG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TSM60NB190CM2 RNG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TSM60NB190CM2 RNG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TSM60NB190CM2 RNG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TSM60NB190CM2 RNG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TSM60NB190CM2 RNG price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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Transistor Power MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: TSM60NB190CM2 RNG)

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MOSFET N-CH 600V 18A TO263

550
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RoHS: Compliant
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0
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