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TSM1NB60CW RPG

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Numero di parte TSM1NB60CW RPG
Produttore TSC America Inc.
Descrizione MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 3.136 piece(s)
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Specifiche TSM1NB60CW RPG

ProduttoreTSC America Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds138pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

TSM1NB60CW RPG Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TSM1NB60CW RPG FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TSM1NB60CW RPG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TSM1NB60CW RPG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TSM1NB60CW RPG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TSM1NB60CW RPG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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D# V72:2272_07117789

Taiwan Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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Transistor Power MOSFET N-CH 600V 1A 4-Pin SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: TSM1NB60CW RPG)

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D# TSM1NB60CW RPG

Taiwan Semiconductor

Transistor Power MOSFET N-CH 600V 1A 4-Pin SOT-223 T/R (Alt: TSM1NB60CW RPG)

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Trans MOSFET N-CH 600V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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