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TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

TPN4R712MD,L1Q

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Numero di parte TPN4R712MD,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 38.118 piece(s)
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Specifiche TPN4R712MD,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4300pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN4R712MD,L1Q Packaging

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Sealing
Packing
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TPN4R712MD,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN4R712MD,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPN4R712MD,L1Q. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPN4R712MD,L1Q on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPN4R712MD,L1Q products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPN4R712MD,L1Q price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET P-CH 20V 36A 8-Pin TSON - Tape and Reel (Alt: TPN4R712MD,L1Q)

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