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TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

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Numero di parte TPN4R203NC,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 47.772 piece(s)
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Specifiche TPN4R203NC,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C23A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN4R203NC,L1Q Packaging

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Sealing
Packing
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TPN4R203NC,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN4R203NC,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPN4R203NC,L1Q. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPN4R203NC,L1Q on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPN4R203NC,L1Q products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPN4R203NC,L1Q price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TPN4R203NC,L1Q?
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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Trans MOSFET N 30V 53A 8-Pin TSON - Tape and Reel (Alt: TPN4R203NC,L1Q)

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