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TPN3300ANH,LQ

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Numero di parte TPN3300ANH,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 22.812 piece(s)
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Specifiche TPN3300ANH,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 4.7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN3300ANH,LQ Packaging

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Sealing
Packing
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TPN3300ANH,LQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN3300ANH,LQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

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MOSFET

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 27053
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MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

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N-Channel MOSFET, 21 A, 100 V, 8-Pin TSON Toshiba TPN3300ANH,LQ(S, PK

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MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

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