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TPN22006NH,LQ

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Numero di parte TPN22006NH,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 3.328 piece(s)
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Specifiche TPN22006NH,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN22006NH,LQ Packaging

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Sealing
Packing
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TPN22006NH,LQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN22006NH,LQ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPN22006NH,LQ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPN22006NH,LQ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPN22006NH,LQ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPN22006NH,LQ price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TPN22006NH,LQ?
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 0
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Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin TSON (Alt: TPN22006NH,LQ(S)

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 0
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 460
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