| Numero di parte | TPN1110ENH,L1Q |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 60.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
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CM309E5333000CBQT | Citizen Finedevice Co Ltd, CRYSTAL 5.3330MHZ 10PF SMD, 4-SOJ, 9.60mm pitch, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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1812Y5000181KXT | Knowles Syfer, CAP CER 180PF 500V X7R 1812, 1812 (4532 Metric), U-MOSVIII-H | Visualizza |
 
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SI4410DYTRPBF | Infineon Technologies, MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), U-MOSVIII-H | Visualizza |
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CRCW2512330KJNTH | Vishay Dale, RES SMD 330K OHM 5% 1W 2512, 2512 (6432 Metric), U-MOSVIII-H | Visualizza |
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2150R-26J | API Delevan Inc., FIXED IND 12UH 560MA 450 MOHM TH, Axial, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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1-111504-7 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN PLUG 20POS UNIV I/O NO EARS, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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951418-2011609-AR-TP | 3M, CONN HDR STR STACK 18POS 2MM SMD, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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SS-73100-003 | Stewart Connector, CONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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D38999/23HE99CE | TE Connectivity Deutsch Connectors, D38999/23HE99CE, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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MS3102E24-10P | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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R0.5S-0515/HP-R | Recom Power, 0.5W DC/DC-CONVERTER ECONOLINE, 8-SMD Module, 5 Leads, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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EP20K400BC652-1XV | Intel, IC FPGA 502 I/O 652BGA, 652-BGA, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q D# V36:1790_13897535 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q D# TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON - Tape and Reel (Alt: TPN1110ENH,L1Q) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q(M D# TPN1110ENH,L1Q(M |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON (Alt: TPN1110ENH,L1Q(M) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q(M D# C1S751201247919 |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET RoHS: Not Compliant
pbFree: No
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q D# TPN1110ENHL1QCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
9190 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5950 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM Immediate delivery |
4985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
5095 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
IN stock Immediate delivery |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV pbFree: Pb-Free
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0 |
TPN1110ENHL1Q |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET TRANS POWER MOSFET pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN1110ENH,L1Q(M D# 46665001 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
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0 |
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+86-755-83210559 ext. 803
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