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TPN1110ENH,L1Q

hot TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q

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Numero di parte TPN1110ENH,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 60.000 piece(s)
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Specifiche TPN1110ENH,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs114 mOhm @ 3.6A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN1110ENH,L1Q Packaging

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TPN1110ENH,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN1110ENH,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TPN1110ENH,L1Q price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON - Tape and Reel (Alt: TPN1110ENH,L1Q)

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Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin TSON (Alt: TPN1110ENH,L1Q(M)

RoHS: Compliant
 0
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MOSFET

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Container: Cut Tape
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MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

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D# 46665001

 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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