| Numero di parte | TPN11006NL,LQ |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.224 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerVDFN |
| ECAD |
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| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
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ASTMUPCD-33-25.000MHZ-LJ-E-T | Abracon LLC, OSC MEMS 25MHZ LVCMOS SMD, 4-SMD, No Lead, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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1808Y0500181FCT | Knowles Syfer, CAP CER 180PF 50V C0G/NP0 1808, 1808 (4520 Metric), U-MOSVIII-H | Visualizza |
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MC34PF3000A7EP | NXP, IC POWER MANAGEMENT 48QFN, 48-VFQFN Exposed Pad, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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7020.9120 | Schurter Inc., FUSE BRD MNT, Cartridge, Non-Standard, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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MP0045/1D2GN220 | Bulgin, SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 250V, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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PPT0300AFN2VB | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors, PRESSURE TRANSDUCER, Module Cube, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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RNC60H3322BSB14 | Vishay Dale, RES 33.2K OHM 1/4W .1% AXIAL, Axial, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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RWR80S5R76FMS73 | Vishay Dale, RES 5.76 OHM 2W 1% WW AXIAL, Axial, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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RNC55J30R9BSRE6 | Vishay Dale, RES 30.9 OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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RNCF1210BKE115R | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 115 OHM 0.1% 1/3W 1210, 1210 (3225 Metric), U-MOSVIII-H | Visualizza |
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RT1210FRD0718RL | Yageo, RES SMD 18 OHM 1% 1/4W 1210, 1210 (3225 Metric), U-MOSVIII-H | Visualizza |
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BTH-090-03-L-D-A-K-TR | Samtec Inc., .5MM DOUBLE ROW TERMINAL ASSEMBL, -, U-MOSVIII-H | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ D# V36:1790_13897532 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ D# TPN11006NL,LQ |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSON Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: TPN11006NL,LQ) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ(S D# TPN11006NL,LQ(S |
Toshiba America Electronic Components |
Transistor MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TSON (Alt: TPN11006NL,LQ(S) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ D# C1S751200993136 |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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9030 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ D# TPN11006NLLQCT-ND |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON |
8361 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ(S |
Toshiba America Electronic Components |
In stock shipping within 2days |
23813 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NLLQS |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
18258 |
TPN11006NLLQ |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
7140 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ D# 757-TPN11006NLLQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET RoHS: Compliant
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8694 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NLLQS |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
3213 |
TPN11006NLLQ |
Toshiba America Electronic Components |
OEM/CM ONLY |
6095 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET pbFree: Pb-Free
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0 |
TPN11006NLLQ |
Toshiba America Electronic Components |
MOSFET TRANS POWER MOSFET pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TPN11006NL,LQ D# 43710807 |
Toshiba America Electronic Components |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R RoHS: Compliant
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0 |
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