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TPH7R506NH,L1Q

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TPH7R506NH,L1Q

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Numero di parte TPH7R506NH,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 48.078 piece(s)
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Specifiche TPH7R506NH,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2320pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPH7R506NH,L1Q Packaging

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Sealing
Packing
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TPH7R506NH,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPH7R506NH,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPH7R506NH,L1Q. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPH7R506NH,L1Q on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPH7R506NH,L1Q products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPH7R506NH,L1Q price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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