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TPH11006NL,LQ

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Numero di parte TPH11006NL,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 26.466 piece(s)
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Specifiche TPH11006NL,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPH11006NL,LQ Packaging

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Packing
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TPH11006NL,LQ FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin SOP Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: TPH11006NL,LQ)

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MOS Power Transistors LV (< 200V) (Alt: TPH11006NL,LQ(S)

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 0
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TPH11006NLLQ(S

D# TPH11006NL,LQ(S

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MOS Power Transistors LV (< 200V) (Alt: TPH11006NL,LQ(S)

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 0
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D# TPH11006NLLQCT-ND

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MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

 307
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TPH11006NLLQS

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TPH11006NL LQ

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TPH11006NLLQS

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