Name: TPCC8A01-H(TE12LQM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8A01-H-TE12LQM
Availability: InStock
Rating: 5 (70 reviews)

TPCC8A01-H(TE12LQM

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Numero di parte	TPCC8A01-H(TE12LQM
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
Scheda dati
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	3.456 piece(s)
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Specifiche TPCC8A01-H(TE12LQM

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	U-MOSV-H
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad

TPCC8A01-H(TE12LQM Packaging

TPCC8A01-H(TE12LQM FAQ

1. How to order TPCC8A01-H(TE12LQM on Heisener?

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3. Are the TPCC8A01-H(TE12LQM price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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(1)Inform us within 90 days

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