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TPCA8018-H(TE12LQM

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Numero di parte TPCA8018-H(TE12LQM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
Scheda dati

TPCA8018-H(TE12LQM Scheda dati

pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche TPCA8018-H(TE12LQM

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2846pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

Scheda tecnica TPCA8018-H(TE12LQM

TPCA8018-H(TE12LQM Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that TPCA8018-H(TE12LQM is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TPCA8018-H(TE12LQM price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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