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TPC8207(TE12L,Q)

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Numero di parte TPC8207(TE12L,Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
Scheda dati

TPC8207(TE12L,Q) Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche TPC8207(TE12L,Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2010pF @ 10V
Potenza - Max450mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP (5.5x6.0)

Scheda tecnica TPC8207(TE12L,Q)

TPC8207(TE12L,Q) Packaging

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