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TPC8113(TE12L,Q)

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Numero di parte TPC8113(TE12L,Q)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Scheda dati

TPC8113(TE12L,Q) Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche TPC8113(TE12L,Q)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Scheda tecnica TPC8113(TE12L,Q)

TPC8113(TE12L,Q) Packaging

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TPC8113(TE12L,Q)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

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