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TPC8062-H,LQ(CM

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Numero di parte TPC8062-H,LQ(CM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
A magazzino 5.312 piece(s)
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Specifiche TPC8062-H,LQ(CM

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SerieU-MOSVII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

TPC8062-H,LQ(CM Packaging

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Sealing
Packing
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TPC8062-H,LQ(CM FAQ

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D# V36:1790_13896869

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin SOP

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TPC8062-H,LQ(CM

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOP - Tape and Reel (Alt: TPC8062-H,LQ(CM)

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TPC8062-HLQ(CM-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

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