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TPC8018-H(TE12LQM)

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TPC8018-H(TE12LQM)

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Numero di parte TPC8018-H(TE12LQM)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Scheda dati

TPC8018-H(TE12LQM) Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche TPC8018-H(TE12LQM)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2265pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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TPC8018-H(TE12LQM) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPC8018-H(TE12LQM) is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TPC8018-H(TE12LQM) price and inventory displayed accurate?
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