Name: TPC8014(TE12L,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC8014-TE12L-Q-M
Availability: InStock
Rating: 5 (185 reviews)

TPC8014(TE12L,Q,M)

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Numero di parte	TPC8014(TE12L,Q,M)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Scheda dati	TPC8014(TE12L,Q,M) Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche TPC8014(TE12L,Q,M)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP (5.5x6.0)
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Scheda tecnica TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M) Packaging

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(1)Inform us within 90 days

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