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TPC6006-H(TE85L,F)

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Numero di parte TPC6006-H(TE85L,F)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Scheda dati
pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
A magazzino 3.712 piece(s)
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Specifiche TPC6006-H(TE85L,F)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieU-MOSIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds251pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreVS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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