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TP89R103NL,LQ

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Numero di parte TP89R103NL,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
A magazzino 5.936 piece(s)
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Specifiche TP89R103NL,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds820pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.1 mOhm @ 7.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TP89R103NL,LQ Packaging

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Sealing
Packing
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TP89R103NL,LQ FAQ

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MOSFET SOP-8 DUAL (Alt: TP89R103NL,LQ(S)

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MOSFET

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MOSFET N CH 30V 15A 8SOP

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MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V

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