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TP65H480G4JSGB-TR

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Numero di parte TP65H480G4JSGB-TR
Produttore Transphorm
Descrizione GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche TP65H480G4JSGB-TR

ProduttoreTransphorm
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieSuperGaN®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds414 pF @ 400 V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)13.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 3A, 6V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

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Sealing
Packing
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TP65H480G4JSGB-TR FAQ

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  • 3. Are the TP65H480G4JSGB-TR price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TP65H480G4JSGB-TR?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the TP65H480G4JSGB-TR we delivered, we will accept the replacement or return of the TP65H480G4JSGB-TR only when all of the below conditions are fulfilled:
    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of TP65H480G4JSGB-TR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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