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TK8A60W,S4VX

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Numero di parte TK8A60W,S4VX
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 2.992 piece(s)
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Specifiche TK8A60W,S4VX

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK8A60W,S4VX Packaging

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Packing
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TK8A60W,S4VX FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK8A60W,S4VX. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK8A60W,S4VX on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK8A60W,S4VX products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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