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TK7P65W,RQ

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Numero di parte TK7P65W,RQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 16.554 piece(s)
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Specifiche TK7P65W,RQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 3.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK7P65W,RQ Packaging

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Packing
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TK7P65W,RQ FAQ

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D# V72:2272_13896947

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK7P65W,RQ

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 650V 6.8A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK7P65W,RQ)

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK7P65W,RQ(S

D# TK7P65W,RQ(S

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 650V 6.8A 3-Pin DPAK Embossed T/R (Alt: TK7P65W,RQ(S)

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK7P65WRQCT-ND

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Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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