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TK65S04N1L,LQ

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Numero di parte TK65S04N1L,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche TK65S04N1L,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2550pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK65S04N1L,LQ Packaging

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Packing
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TK65S04N1L,LQ FAQ

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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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D# TK65S04N1L,LQ

 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 40V 65A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK65S04N1L,LQ)

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D# TK65S04N1L,LQ(O

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