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TK5A60W,S4VX

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Numero di parte TK5A60W,S4VX
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 6.108 piece(s)
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Specifiche TK5A60W,S4VX

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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Packing
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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Trans MOSFET N 600V 5.4A 3-Pin TO-220SIS Tube - Rail/Tube (Alt: TK5A60W,S4VX)

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D# TK5A60W,S4VX(M

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Trans MOSFET N-CH 600V 5.4A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK5A60W,S4VX(M)

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0
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RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK5A60WS4VX-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS

5
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK5A60WS4VXM

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

417

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

60
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TK5A60WS4VX

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100

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MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC

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