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TK56A12N1,S4X

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TK56A12N1,S4X

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Numero di parte TK56A12N1,S4X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 6.432 piece(s)
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Specifiche TK56A12N1,S4X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C56A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 60V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 28A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK56A12N1,S4X Packaging

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Packing
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TK56A12N1,S4X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK56A12N1,S4X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK56A12N1,S4X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK56A12N1,S4X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK56A12N1,S4X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK56A12N1,S4X price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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 0
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Trans MOSFET N-CH 120V 112A 3-Pin TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK56A12N1,S4X)

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Trans MOSFET N-CH 120V 112A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK56A12N1,S4X(S)

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Trans MOSFET N-CH 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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Min Qty: 1
Container: Bulk
 246
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK56A12N1,S4X

D# TK56A12N1S4X-ND

 Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS

 5
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TK56A12N1S4X

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 357

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 60
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MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V

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 111
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N-Channel MOSFET, 56 A, 120 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK56A12N1,S4X(S, BG

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 190
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 Toshiba America Electronic Components

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 316

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MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V

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