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TK3A65DA(STA4,QM)

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Numero di parte TK3A65DA(STA4,QM)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 2.224 piece(s)
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Specifiche TK3A65DA(STA4,QM)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie��-MOSVII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.51 Ohm @ 1.3A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

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Packing
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V36:1790_13896213

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK3A65DA(STA4,QM)

D# TK3A65DA(STA4,QM)

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS - Rail/Tube (Alt: TK3A65DA(STA4,QM))

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK3A65DA(STA4,QM)

D# TK3A65DA(STA4QM)-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK3A65DA(STA4,QM)

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

pbFree: Pb-Free
0

TK3A65DA(STA4QM)

Toshiba America Electronic Components

MOSFET 650V N-CH 2.5A MOS 5W

pbFree: Pb-Free
0

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