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TK39J60W5,S1VQ

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Numero di parte TK39J60W5,S1VQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Scheda dati
pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
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Specifiche TK39J60W5,S1VQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C38.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 19.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P(N)
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

TK39J60W5,S1VQ Packaging

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Sealing
Packing
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TK39J60W5,S1VQ FAQ

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MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-3PN(OS) MOQ=50 PD=270W F=1MHZ ROHS COMPLIANT: YES

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N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK39J60W5,S1VQ(O, EA

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