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TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

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Numero di parte TK380P60Y,RQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 32.502 piece(s)
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Specifiche TK380P60Y,RQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieDTMOSV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 360µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK380P60Y,RQ Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

TK380P60Y,RQ FAQ

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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D# TK380P60Y,RQ

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TK380P60Y,RQ(S

D# TK380P60Y,RQ(S

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Transistor MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin DPAK Emboss T/R (Alt: TK380P60Y,RQ(S)

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TK380P60Y,RQ

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N-Channel 600V 9.7A(Tc) 4V @ 360uA 380mohms @ 4.9A,10V 30W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

28
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TK380P60Y,RQ

D# TK380P60YRQCT-ND

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MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

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MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

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