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TK33S10N1Z,LQ

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TK33S10N1Z,LQ

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Numero di parte TK33S10N1Z,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche TK33S10N1Z,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C33A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2050pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK33S10N1Z,LQ Packaging

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TK33S10N1Z,LQ FAQ

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Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK33S10N1Z,LQ)

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