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TK32E12N1,S1X

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TK32E12N1,S1X

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Numero di parte TK32E12N1,S1X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 11.508 piece(s)
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Specifiche TK32E12N1,S1X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 60V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.8 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

TK32E12N1,S1X Packaging

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Sealing
Packing
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TK32E12N1,S1X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK32E12N1,S1X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK32E12N1,S1X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK32E12N1,S1X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK32E12N1,S1X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK32E12N1,S1X price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N 120V 60A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: TK32E12N1,S1X)

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Trans MOSFET N-CH 120V 60A 3-Pin TO-220 (Alt: TK32E12N1,S1X(S)

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 0
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 0
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MOSFET N CH 120V 60A TO-220

 14
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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D# 757-TK32E12N1S1X

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TK32E12N1S1XS

 Toshiba America Electronic Components

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MOSFET 120V N-CH 60A FET 98W 2000PF

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MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

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Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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