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TK31V60X,LQ

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Numero di parte TK31V60X,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Scheda dati
pacchetto 4-VSFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 19.080 piece(s)
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Specifiche TK31V60X,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto4-VSFN Exposed Pad
ECAD
SerieDTMOSIV-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 9.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (8x8)
Pacchetto / caso4-VSFN Exposed Pad

TK31V60X,LQ Packaging

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Packing
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TK31V60X,LQ FAQ

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 5-Pin DFN - Rail/Tube (Alt: TK31V60X,LQ)

RoHS: Not Compliant
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D# TK31V60X,LQ(S

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Trans MOSFET N-CH 600V 30.8A 5-Pin DFN (Alt: TK31V60X,LQ(S)

RoHS: Compliant
0
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TK31V60XLQS

Toshiba America Electronic Components

RoHS: Compliant
0
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D# TK31V60XLQTR-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

0
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TK31V60XLQ

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2975

TK31V60XLQS

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5950
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Toshiba America Electronic Components

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2500
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TK31V60XLQS

Toshiba America Electronic Components

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12516
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TK31V60X,LQ(S

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2515
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MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

pbFree: Pb-Free
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pbFree: Pb-Free
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TK31V60X,LQ

D# 35127864

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

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