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TK31V60W,LVQ

hot TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

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Numero di parte TK31V60W,LVQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
Scheda dati
pacchetto 4-VSFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino 270.000 piece(s)
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Specifiche TK31V60W,LVQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto4-VSFN Exposed Pad
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 15.4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (8x8)
Pacchetto / caso4-VSFN Exposed Pad

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Packing
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TK31V60W,LVQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK31V60W,LVQ is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK31V60W,LVQ. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK31V60W,LVQ on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK31V60W,LVQ products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

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TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

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