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TK30A06N1,S4X

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TK30A06N1,S4X

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Numero di parte TK30A06N1,S4X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 6.544 piece(s)
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Specifiche TK30A06N1,S4X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK30A06N1,S4X Packaging

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Packing
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TK30A06N1,S4X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK30A06N1,S4X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK30A06N1,S4X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK30A06N1,S4X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK30A06N1,S4X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK30A06N1,S4X price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS

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MOSFET MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V

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N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK30A06N1,S4X(S, PK

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