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TK17N65W,S1F

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Numero di parte TK17N65W,S1F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 7.416 piece(s)
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Specifiche TK17N65W,S1F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 8.7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

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Packing
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TK17N65W,S1F FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK17N65W,S1F is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK17N65W,S1F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK17N65W,S1F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK17N65W,S1F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK17N65W,S1F price and inventory displayed accurate?
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