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TK16N60W,S1VF

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Numero di parte TK16N60W,S1VF
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 7.936 piece(s)
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Specifiche TK16N60W,S1VF

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

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Packing
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TK16N60W,S1VF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK16N60W,S1VF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK16N60W,S1VF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK16N60W,S1VF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK16N60W,S1VF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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 Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N 600V 15.8A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: TK16N60W,S1VF)

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Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin TO-247 (Alt: TK16N60W,S1VF(S)

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MOSFET N CH 600V 15.8A TO247

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 4570
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 75
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MOSFET PWR MOS PD=130W F=1MHZ

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MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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