Name: TK16E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16E60W-S1VX
Availability: InStock
Rating: 5 (141 reviews)

TK16E60W,S1VX

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Numero di parte	TK16E60W,S1VX
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	4.736 piece(s)
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Specifiche TK16E60W,S1VX

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	DTMOSIV
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3

TK16E60W,S1VX Packaging

TK16E60W,S1VX FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

TK16E60W,S1VX

D# V36:1790_13896122

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin TO-220 (Alt: TK16E60W,S1VX(S)

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N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W,S1VX(S, PK

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