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TK14G65W5,RQ

TK14G65W5,RQ

TK14G65W5,RQ

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Numero di parte TK14G65W5,RQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
A magazzino 14.070 piece(s)
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Specifiche TK14G65W5,RQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 690µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 6.9A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK14G65W5,RQ Packaging

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Sealing
Packing
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D# V72:2272_13896903

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
0
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TK14G65W5,RQ

D# TK14G65W5,RQ

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3-Pin D2PAK - Tape and Reel (Alt: TK14G65W5,RQ)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TK14G65W5,RQ(S

D# TK14G65W5,RQ(S

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Trans MOSFET N-CH 650V 13.7A 3-Pin D2PAK Embossed T/R (Alt: TK14G65W5,RQ(S)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TK14G65W5RQTR-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

0
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Toshiba America Electronic Components

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1190
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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

1024
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

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