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TK12Q60W,S1VQ

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Numero di parte TK12Q60W,S1VQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Scheda dati
pacchetto TO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
A magazzino 3.136 piece(s)
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Specifiche TK12Q60W,S1VQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-251-3 Stub Leads, IPak
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs340 mOhm @ 5.8A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-Pak
Pacchetto / casoTO-251-3 Stub Leads, IPak

TK12Q60W,S1VQ Packaging

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Sealing
Packing
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TK12Q60W,S1VQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK12Q60W,S1VQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R

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Trans MOSFET N 600V 11.5A 3-Pin IPAK Tube - Tape and Reel (Alt: TK12Q60W,S1VQ)

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 600V 11.5A 3-Pin IPAK (Alt: TK12Q60W,S1VQ(S)

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 0
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MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

 0
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N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin IPAK Toshiba TK12Q60W,S1VQ(S, PK

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