Name: TK12J60U(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12J60U-F
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

TK12J60U(F)

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Numero di parte	TK12J60U(F)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
A magazzino	13.668 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche TK12J60U(F)

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	DTMOSII
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P(N)
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

TK12J60U(F) Packaging

TK12J60U(F) FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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TK12J60U(F)

D# TK12J60U(F)

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN - Bulk (Alt: TK12J60U(F))

RoHS: Compliant

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Descrizione

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET,N CH,600V,12A,TO-3PN

105

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TK12J60UF

Toshiba America Electronic Components

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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TK12J60U(F)

D# TK12J60UF-ND

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MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

1330

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D# 1836307

Toshiba America Electronic Components

MOSFET,N CH,600V,12A,TO-3PN

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TK12J60UF

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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D# NS-TK12J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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2282

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TK12J60U(F)

D# 6955571

Toshiba America Electronic Components

N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK12J60U(F), EA

Min Qty: 1

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