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TK12E80W,S1X

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Numero di parte TK12E80W,S1X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 8.064 piece(s)
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Specifiche TK12E80W,S1X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 570µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 300V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 5.8A, 10V
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

TK12E80W,S1X Packaging

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Packing
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TK12E80W,S1X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK12E80W,S1X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK12E80W,S1X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK12E80W,S1X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK12E80W,S1X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK12E80W,S1X price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TK12E80W,S1X?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ - Rail/Tube (Alt: TK12E80W,S1X)

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MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

 280
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 350
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