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TK10A80E,S4X

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Numero di parte TK10A80E,S4X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
A magazzino 4.784 piece(s)
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Specifiche TK10A80E,S4X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
Serie��-MOSVIII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1 Ohm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

TK10A80E,S4X Packaging

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Packing
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TK10A80E,S4X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK10A80E,S4X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK10A80E,S4X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK10A80E,S4X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK10A80E,S4X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A80E,S4X(S, PK

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